Infineon Technologies IPB80N06S207ATMA4
- 제조업체 부품 번호
- IPB80N06S207ATMA4
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB80N06S207ATMA4 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 946.09900
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB80N06S207ATMA4, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB80N06S207ATMA4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB80N06S207ATMA4, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB80N06S207ATMA4 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB80N06S207ATMA4 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB80N06S207ATMA4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPx80N06S2-07 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.3m옴 @ 68A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 180µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SP001067870 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB80N06S207ATMA4 | |
| 관련 링크 | IPB80N06, IPB80N06S207ATMA4 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB80N06S207ATMA4 의 관련 제품
 | 1825HA221KATME | 220pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | 1825HA221KATME.pdf | |
 | F1772SX251831KKMT0 | 1.8µF Film Capacitor 310V 630V Polyester, Metallized Radial 1.220" L x 0.827" W (31.00mm x 21.00mm) | F1772SX251831KKMT0.pdf | |
 | ECS-196.6-20-4XDN | 19.6608MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 스루홀 HC49/US | ECS-196.6-20-4XDN.pdf | |
 | DCX4710H-7 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | DCX4710H-7.pdf | |
 | IRFH7190TRPBF | MOSFET N-CH 100V 15A | IRFH7190TRPBF.pdf | |
 | MMZ1608S301CTAH0 | 300 Ohm Impedance Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) Surface Mount Signal Line 500mA 1 Lines 250 mOhm Max DCR -55°C ~ 125°C | MMZ1608S301CTAH0.pdf | |
 | TYS4018470M-10 | 47µH Shielded Inductor 420mA 650 mOhm Max Nonstandard | TYS4018470M-10.pdf | |
 | PE-0603CD470JTT | 47nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 280 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | PE-0603CD470JTT.pdf | |
| 4N33-X007T | Optoisolator Darlington with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-SMD | 4N33-X007T.pdf | |
 | 8870320000 | General Purpose Relay DPDT (2 Form C) 24VDC Coil Through Hole | 8870320000.pdf | |
 | YC162-FR-07274KL | RES ARRAY 2 RES 274K OHM 0606 | YC162-FR-07274KL.pdf | |
| B132R | 328MHz Whip, Straight RF Antenna 132MHz ~ 525MHz 0dBi Connector, NMO Base Mount | B132R.pdf |
