Infineon Technologies IPB80N06S209ATMA1

IPB80N06S209ATMA1
제조업체 부품 번호
IPB80N06S209ATMA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
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내부 부품 번호EIS-IPB80N06S209ATMA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IPB,IPP80N06S2-09
PCN 조립/원산지Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014
Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황주문 불가
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)55V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C80A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs8.8m옴 @ 50A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 125µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs80nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2360pF @ 25V
전력 - 최대190W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지PG-TO263-3-2
표준 포장 1,000
다른 이름IPB80N06S2-09
IPB80N06S2-09-ND
SP000218741
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IPB80N06S209ATMA1
관련 링크IPB80N06, IPB80N06S209ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor
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