창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB80N06S2L06ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPB,IPP80N06S2L-06 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 69A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 180µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB80N06S2L-06 IPB80N06S2L-06-ND SP000218163 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB80N06S2L06ATMA1 | |
관련 링크 | IPB80N06S, IPB80N06S2L06ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
UES1C330MEM1TA | 33µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 85°C | UES1C330MEM1TA.pdf | ||
0805YC475MAT2A | 4.7µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 0805YC475MAT2A.pdf | ||
VJ0805D330MXAAC | 33pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D330MXAAC.pdf | ||
VJ0402D110FLXAJ | 11pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D110FLXAJ.pdf | ||
CL21B104KAFNNNG | 0.10µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21B104KAFNNNG.pdf | ||
B32561J1105J189 | 1µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked 2-DIP 0.453" L x 0.177" W (11.50mm x 4.50mm) | B32561J1105J189.pdf | ||
MKP1840439405 | 0.39µF Film Capacitor Polypropylene (PP), Metallized Radial | MKP1840439405.pdf | ||
IPD80P03P4L07ATMA1 | MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3 | IPD80P03P4L07ATMA1.pdf | ||
ERA-3AEB95R3V | RES SMD 95.3 OHM 0.1% 1/10W 0603 | ERA-3AEB95R3V.pdf | ||
ERA-8ARB152V | RES SMD 1.5K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8ARB152V.pdf | ||
RNF12FTD82R5 | RES 82.5 OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FTD82R5.pdf | ||
CMF5570R600DHEK | RES 70.6 OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF5570R600DHEK.pdf |