Infineon Technologies IPB80N06S2L06ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPB80N06S2L06ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB80N06S2L06ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB80N06S2L06ATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB80N06S2L06ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB80N06S2L06ATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB80N06S2L06ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB80N06S2L06ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB80N06S2L06ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPB,IPP80N06S2L-06 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 69A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 180µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB80N06S2L-06 IPB80N06S2L-06-ND SP000218163 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB80N06S2L06ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB80N06S, IPB80N06S2L06ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB80N06S2L06ATMA1 의 관련 제품
 | E36D401LPN121TA41M | 120µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 2000 Hrs @ 85°C | E36D401LPN121TA41M.pdf | |
 | 12061A1R8BAT2A | 1.8pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12061A1R8BAT2A.pdf | |
 | V390MA6B | VARISTOR 390V 100A SOD83A AXIAL | V390MA6B.pdf | |
 | MXO45HST-2C-5M0688 | 5.0688MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Through Hole 5V 26mA Enable/Disable | MXO45HST-2C-5M0688.pdf | |
 | CS2K-E3/I | DIODE GPP 2A 800V DO-214AA SMB | CS2K-E3/I.pdf | |
 | NTMFD4C86NT1G | MOSFET 2N-CH 30V 8DFN | NTMFD4C86NT1G.pdf | |
.jpg) | 4N35S1(TB) | Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-SMD | 4N35S1(TB).pdf | |
.jpg) | RT0805CRD07590KL | RES SMD 590K OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRD07590KL.pdf | |
 | PWR263S-35-1003F | RES SMD 100K OHM 1% 35W D2PAK | PWR263S-35-1003F.pdf | |
 | CRCW02013K60FNED | RES SMD 3.6K OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW02013K60FNED.pdf | |
| P51-300-S-L-M12-20MA-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Sealed Gauge Female - M10 x 1.25 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-300-S-L-M12-20MA-000-000.pdf | |
| P51-75-S-E-I12-5V-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Sealed Gauge Male - 3/8" (9.52mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-75-S-E-I12-5V-000-000.pdf |
