Infineon Technologies IPB80N06S2L06ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPB80N06S2L06ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB80N06S2L06ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB80N06S2L06ATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB80N06S2L06ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB80N06S2L06ATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB80N06S2L06ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB80N06S2L06ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB80N06S2L06ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPB,IPP80N06S2L-06 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 69A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 180µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB80N06S2L-06 IPB80N06S2L-06-ND SP000218163 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB80N06S2L06ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB80N06S, IPB80N06S2L06ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB80N06S2L06ATMA1 의 관련 제품
 | C0603C919D5GACTU | 9.1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C919D5GACTU.pdf | |
 | RSBDC3470AA10J | 0.47µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked Radial 0.283" L x 0.138" W (7.20mm x 3.50mm) | RSBDC3470AA10J.pdf | |
 | 0224.100MXW | FUSE GLASS 100MA 250VAC 2AG | 0224.100MXW.pdf | |
| SMCJ17CA-HRA | TVS DIODE 17VWM 27.6VC | SMCJ17CA-HRA.pdf | |
 | SIT1602BI-83-33S-50.000000X | 50MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 4.5mA Standby (Power Down) | SIT1602BI-83-33S-50.000000X.pdf | |
| SIT1602BI-23-18E-25.000000E | OSC XO 1.8V 25MHZ OE | SIT1602BI-23-18E-25.000000E.pdf | |
 | SIT9002AC-43H33ET | 1MHz ~ 220MHz HCSL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 80mA Enable/Disable | SIT9002AC-43H33ET.pdf | |
 | ISC1812ER151J | 150µH Shielded Wirewound Inductor 130mA 4.16 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812ER151J.pdf | |
| 5400R-156H | 15mH Unshielded Inductor 167mA 1.88 Ohm Max Radial | 5400R-156H.pdf | |
,-0406.jpg) | RCL0406127KFKEA | RES SMD 127K OHM 1/4W 0604 WIDE | RCL0406127KFKEA.pdf | |
| Y0006V0029BQ0L | RES NTWRK 2 RES MULT OHM RADIAL | Y0006V0029BQ0L.pdf | |
| P51-2000-S-T-P-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 2000 PSI (13789.51 kPa) Sealed Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-2000-S-T-P-4.5V-000-000.pdf |
