창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB80N06S2L09ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPB,IPP80N06S2L-09 | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.2m옴 @ 52A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 125µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 105nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2620pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 190W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB80N06S2L-09 IPB80N06S2L-09-ND SP000218743 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB80N06S2L09ATMA1 | |
관련 링크 | IPB80N06S, IPB80N06S2L09ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | VJ0402D2R4CXBAP | 2.4pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D2R4CXBAP.pdf | |
![]() | AQ14EA681JAJWE | 680pF 150V 세라믹 커패시터 A 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ14EA681JAJWE.pdf | |
![]() | AQ147M2R0BAJBE | 2pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ147M2R0BAJBE.pdf | |
![]() | CD42FD333GO3 | 0.033µF Mica Capacitor 500V Radial 1.441" L x 0.358" W (36.60mm x 9.10mm) | CD42FD333GO3.pdf | |
![]() | SIT8225AI-G3-25E-25.000000Y | OSC XO 2.5V 25MHZ OE | SIT8225AI-G3-25E-25.000000Y.pdf | |
![]() | Q8012NH5TP | TRIAC ALTERNISTOR 800V 12A TO263 | Q8012NH5TP.pdf | |
![]() | BLM03PG330SN1D | 33 Ohm Impedance Ferrite Bead 0201 (0603 Metric) Surface Mount Power Line 750mA 1 Lines 90 mOhm Max DCR -55°C ~ 125°C | BLM03PG330SN1D.pdf | |
![]() | ELL-6UH101M | 100µH Shielded Wirewound Inductor 600mA 360 mOhm Nonstandard | ELL-6UH101M.pdf | |
![]() | CNY17F2VM | Optoisolator Transistor Output 4170Vrms 1 Channel 6-DIP | CNY17F2VM.pdf | |
![]() | MCU08050D1240BPW00 | RES SMD 124 OHM 0.1% 1/8W 0805 | MCU08050D1240BPW00.pdf | |
![]() | CRCW0603324KFHEAP | RES SMD 324K OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW0603324KFHEAP.pdf | |
![]() | MBA02040C3574FC100 | RES 3.57M OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C3574FC100.pdf |