창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB80N06S2L11ATMA2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx80N06S2L-11 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.7m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 93µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2075pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 158W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SP001061398 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB80N06S2L11ATMA2 | |
관련 링크 | IPB80N06S, IPB80N06S2L11ATMA2 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | VJ0805D360MLBAC | 36pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D360MLBAC.pdf | |
![]() | 0203.500URG | FUSE BOARD MNT 500MA 250VAC 2SMD | 0203.500URG.pdf | |
![]() | 30KPA54C-B | TVS DIODE 54VWM 95.97VC P600 | 30KPA54C-B.pdf | |
![]() | 445A2XJ27M00000 | 27MHz ±20ppm 수정 9pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A2XJ27M00000.pdf | |
![]() | BYG22D-E3/TR3 | DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC | BYG22D-E3/TR3.pdf | |
![]() | BYG24JHM3/TR | DIODE AVALANCHE 600V 1.5A | BYG24JHM3/TR.pdf | |
![]() | ADNB025-24-1PM-C | AC/DC CONVERTER 24V 60W | ADNB025-24-1PM-C.pdf | |
![]() | 5022R-122F | 1.2µH Unshielded Inductor 930mA 420 mOhm Max 2-SMD | 5022R-122F.pdf | |
![]() | CRCW04023K90JNEE | RES SMD 3.9K OHM 5% 1/16W 0402 | CRCW04023K90JNEE.pdf | |
![]() | Y0105800K000T0L | RES 800K OHM 0.6W 0.01% AXIAL | Y0105800K000T0L.pdf | |
![]() | MS4800B-14-0840-10X-10R | SAFETY LIGHT CURTAIN | MS4800B-14-0840-10X-10R.pdf |