창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB80N06S405ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx80N06S4-05 | |
PCN 부품 상태 변경 | Wafer Fab Transfer 02/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.4m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 60µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 81nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 107W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB80N06S4-05 IPB80N06S4-05-ND SP000415566 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB80N06S405ATMA1 | |
관련 링크 | IPB80N06, IPB80N06S405ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | SMBJ350CATR | TVS DIODE 350VWM 567VC SMB | SMBJ350CATR.pdf | |
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DPO-2.0-100 | 100µH Unshielded Toroidal Inductor 2A 109 mOhm Max Radial | DPO-2.0-100.pdf | ||
![]() | 1782R-05F | 240nH Unshielded Molded Inductor 960mA 160 mOhm Max Axial | 1782R-05F.pdf | |
![]() | AA0402FR-0730R9L | RES SMD 30.9 OHM 1% 1/16W 0402 | AA0402FR-0730R9L.pdf | |
![]() | CRT0805-BY-1472ELF | RES SMD 14.7KOHM 0.1% 1/8W 0805 | CRT0805-BY-1472ELF.pdf | |
![]() | SM204032003JE | RES 200K OHM 2W 5% RADIAL | SM204032003JE.pdf | |
![]() | P51-75-G-R-M12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Vented Gauge Male - M12 x 1.0 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-75-G-R-M12-4.5V-000-000.pdf |