Infineon Technologies IPB80N06S4L07ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPB80N06S4L07ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB80N06S4L07ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB80N06S4L07ATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB80N06S4L07ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB80N06S4L07ATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB80N06S4L07ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB80N06S4L07ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB80N06S4L07ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPx80N06S4L-07 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Wafer Fab Transfer 02/Jun/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.4m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 40µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 75nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5680pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 79W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB80N06S4L-07 IPB80N06S4L-07-ND SP000415572 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB80N06S4L07ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB80N06S, IPB80N06S4L07ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB80N06S4L07ATMA1 의 관련 제품
 | TG-5035CJ-33N 38.4000M3 | 38.4MHz VCTCXO Oscillator Surface Mount 1.8V 2mA | TG-5035CJ-33N 38.4000M3.pdf | |
| SIT8008BC-22-33E-3.580000D | OSC XO 3.3V 3.58MHZ OE | SIT8008BC-22-33E-3.580000D.pdf | |
| DSC400-3333Q0016KI1T | 25MHz, 50MHz, 125MHz, 150MHz LVDS MEMS (Silicon) Pin Configurable Oscillator 20-VFQFN Exposed Pad 2.25 V ~ 3.6 V Enable/Disable | DSC400-3333Q0016KI1T.pdf | |
 | SIT8008AI-71-XXX-000.FP0000 | 1MHz ~ 110MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V, 2.5 V ~ 3.3 V 4.5mA Enable/Disable, Standby | SIT8008AI-71-XXX-000.FP0000.pdf | |
 | SIT3809AI-C-25NH | 80MHz ~ 220MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 36mA | SIT3809AI-C-25NH.pdf | |
| SIHB22N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | SIHB22N60E-GE3.pdf | |
 | CDMT40D30HF-3R3NC | 3.3µH Unshielded Inductor 4.3A 23 mOhm Nonstandard | CDMT40D30HF-3R3NC.pdf | |
 | CRCW04022R32FKED | RES SMD 2.32 OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW04022R32FKED.pdf | |
.jpg) | AA0201FR-0793K1L | RES SMD 93.1K OHM 1% 1/20W 0201 | AA0201FR-0793K1L.pdf | |
 | RG2012P-68R1-D-T5 | RES SMD 68.1 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012P-68R1-D-T5.pdf | |
| Y162257R0000A9L | RES 57 OHM 8W 0.05% TO220-2 | Y162257R0000A9L.pdf | |
| Y145390R0000T9L | RES 90 OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y145390R0000T9L.pdf |
