Infineon Technologies IPB80N06S4L07ATMA2

IPB80N06S4L07ATMA2
제조업체 부품 번호
IPB80N06S4L07ATMA2
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
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내부 부품 번호EIS-IPB80N06S4L07ATMA2
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IPx80N06S4L-07
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열자동차, AEC-Q101, OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황신제품
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C80A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs6.7m옴 @ 80A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.2V @ 40µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs75nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds5680pF @ 25V
전력 - 최대79W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지PG-TO263-3-2
표준 포장 1,000
다른 이름SP001028674
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IPB80N06S4L07ATMA2
관련 링크IPB80N06S, IPB80N06S4L07ATMA2 Datasheet, Infineon Technologies Distributor
IPB80N06S4L07ATMA2 의 관련 제품
CMR MICA CMR04E470JPDM.pdf
TVS DIODE 10VWM 17VC SMB SMBJ10A-13-F.pdf
38.4MHz ±30ppm 수정 6pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F38435ITR.pdf
12.8MHz LVCMOS OCXO Oscillator Surface Mount 3.3V OX9140S3-012.8M.pdf
220MHz ~ 625MHz LVDS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 55mA Enable/Disable SIT3822AI-2B-33EZ.pdf
DIODE ZENER 5.6V 3W DO204AL 3EZ5.6D5/TR8.pdf
TRANS PNP 30V 1A SOT-346 TR 2SA2048KT146Q.pdf
TRANS NPN 60V 3A SOT-428 2SD2318TLU.pdf
160µH Unshielded Molded Inductor 126mA 6.4 Ohm Max Axial 1537-86H.pdf
RES SMD 442K OHM 1% 1/8W 0603 MCT06030C4423FP500.pdf
RES SMD 634 OHM 0.1% 1/16W 0402 RT0402BRE07634RL.pdf
RES SMD 12.4KOHM 0.1% 1/10W 0603 TNPW060312K4BEEN.pdf