Infineon Technologies IPB80P03P4L04ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPB80P03P4L04ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB80P03P4L04ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 916.07600
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB80P03P4L04ATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB80P03P4L04ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB80P03P4L04ATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB80P03P4L04ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB80P03P4L04ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB80P03P4L04ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPx80P03P4L-04 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.1m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 253µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 160nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 137W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | IPB80P03P4L-04 IPB80P03P4L-04-ND SP000396284 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB80P03P4L04ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB80P03P, IPB80P03P4L04ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB80P03P4L04ATMA1 의 관련 제품
 | GRM033C80J823KE84D | 0.082µF 6.3V 세라믹 커패시터 X6S 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM033C80J823KE84D.pdf | |
.85mm.jpg) | GRM2196R2A221JZ01D | 220pF 100V 세라믹 커패시터 R2H 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2196R2A221JZ01D.pdf | |
 | F1778322K2FBB0 | 0.022µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | F1778322K2FBB0.pdf | |
 | TPSB336K010A0650 | 33µF Molded Tantalum Capacitors 10V 1210 (3528 Metric) 650 mOhm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | TPSB336K010A0650.pdf | |
 | CMR1U-02M BK | DIODE GEN PURP 200V 1A SMA | CMR1U-02M BK.pdf | |
 | CDRH62BNP-390MC-B | 39µH Shielded Inductor 540mA 490 mOhm Max Nonstandard | CDRH62BNP-390MC-B.pdf | |
| 4232R-562H | 5.6µH Unshielded Wirewound Inductor 322mA 2 Ohm Max 2-SMD | 4232R-562H.pdf | |
 | ERJ-2BQFR36X | RES SMD 0.36 OHM 1% 1/6W 0402 | ERJ-2BQFR36X.pdf | |
 | MCR10EZHF3402 | RES SMD 34K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10EZHF3402.pdf | |
 | HRG3216P-2101-B-T5 | RES SMD 2.1K OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-2101-B-T5.pdf | |
 | CMF552K3200FKEA | RES 2.32K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF552K3200FKEA.pdf | |
| P51-500-S-J-I12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 500 PSI (3447.38 kPa) Sealed Gauge Male - 3/8" (9.52mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-500-S-J-I12-4.5OVP-000-000.pdf |
