창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB80P03P4L04ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx80P03P4L-04 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.1m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 253µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 160nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 137W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB80P03P4L-04 IPB80P03P4L-04-ND SP000396284 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPB80P03P4L04ATMA1 | |
관련 링크 | IPB80P03P, IPB80P03P4L04ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
![]() | R6030ENX | MOSFET N-CH 600V 30A TO220 | R6030ENX.pdf | |
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![]() | 103R-100JS | 10nH Unshielded Inductor 1.27A 60 mOhm Max 2-SMD | 103R-100JS.pdf | |
![]() | CRCW1206680KFKEA | RES SMD 680K OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW1206680KFKEA.pdf | |
![]() | MCR25JZHF1241 | RES SMD 1.24K OHM 1% 1/4W 1210 | MCR25JZHF1241.pdf | |
![]() | RGC1206DTC6K04 | RES SMD 6.04K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RGC1206DTC6K04.pdf | |
![]() | AT0805DRE07523RL | RES SMD 523 OHM 0.5% 1/8W 0805 | AT0805DRE07523RL.pdf | |
![]() | MCA12060D1211BP100 | RES SMD 1.21K OHM 0.1% 1/4W 1206 | MCA12060D1211BP100.pdf | |
![]() | CMF50549R00FHEB | RES 549 OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50549R00FHEB.pdf | |
![]() | SFR25H0006208JR500 | RES 6.2 OHM 1/2W 5% AXIAL | SFR25H0006208JR500.pdf | |
![]() | CMF5512R400FKBF | RES 12.4 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5512R400FKBF.pdf |