Infineon Technologies IPB80P04P407ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPB80P04P407ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH TO263-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB80P04P407ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 631.41300
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB80P04P407ATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB80P04P407ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB80P04P407ATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB80P04P407ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB80P04P407ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB80P04P407ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPx80P04P4-07 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.4m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 150µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 89nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6085pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 88W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SP000842038 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB80P04P407ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB80P04, IPB80P04P407ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB80P04P407ATMA1 의 관련 제품
 | EMZR500ADA221MHA0G | 220µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 180 mOhm @ 100kHz 2000 Hrs @ 105°C | EMZR500ADA221MHA0G.pdf | |
 | 160MXG680MEFCSN25X25 | 680µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | 160MXG680MEFCSN25X25.pdf | |
 | 08055J4R7BAWTR | 4.7pF Thin Film Capacitor 50V 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.050" W (2.01mm x 1.27mm) | 08055J4R7BAWTR.pdf | |
 | 416F32035IAR | 32MHz ±30ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32035IAR.pdf | |
 | IMBD4448-HE3-08 | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 | IMBD4448-HE3-08.pdf | |
 | SKI06073 | MOSFET N-CH 60V 78A TO-263 | SKI06073.pdf | |
 | 36502A1R8JTDG | 1.8µH Unshielded Wirewound Inductor 170mA 2.5 Ohm Max 0805 (2012 Metric) | 36502A1R8JTDG.pdf | |
 | 2256R-561J | 560nH Unshielded Molded Inductor 5.8A 10.5 mOhm Max Axial | 2256R-561J.pdf | |
| HM78-504R4LFTR | 4.4µH Shielded Inductor 5A 20 mOhm Max Nonstandard | HM78-504R4LFTR.pdf | |
.jpg) | AT0603BRD07768RL | RES SMD 768 OHM 0.1% 1/10W 0603 | AT0603BRD07768RL.pdf | |
.jpg) | PE2010FKM070R015L | RES SMD 0.015 OHM 1% 1/2W 2010 | PE2010FKM070R015L.pdf | |
 | MRS25000C1699FRP00 | RES 16.9 OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C1699FRP00.pdf |
