Infineon Technologies IPB80P04P4L06ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPB80P04P4L06ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH TO263-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPB80P04P4L06ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 631.41300
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPB80P04P4L06ATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB80P04P4L06ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB80P04P4L06ATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPB80P04P4L06ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPB80P04P4L06ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPB80P04P4L06ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPx80P04P4L-06 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.4m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 150µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 104nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6580pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 88W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO263-3-2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | SP000842046 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPB80P04P4L06ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPB80P04P, IPB80P04P4L06ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPB80P04P4L06ATMA1 의 관련 제품
 | VJ0603D4R3BXPAP | 4.3pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D4R3BXPAP.pdf | |
 | VJ1812Y562JBLAT4X | 5600pF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y562JBLAT4X.pdf | |
 | 1812AC103MAQ1A | 10000pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812AC103MAQ1A.pdf | |
 | MKP385547025JKI2B0 | 4.7µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.240" L x 0.591" W (31.50mm x 15.00mm) | MKP385547025JKI2B0.pdf | |
 | 1.5SMC36CAHE3/57T | TVS DIODE 30.8VWM 49.9VC DO214AB | 1.5SMC36CAHE3/57T.pdf | |
| CPDV6-5V0U-HF | TVS DIODE 5VWM 10VC SOT363 | CPDV6-5V0U-HF.pdf | |
 | P6KE7.5C | TVS DIODE 6.4VWM 11.87VC DO204AC | P6KE7.5C.pdf | |
| SIT9120AC-2D2-33E212.500000T | OSC XO 3.3V 212.5MHZ | SIT9120AC-2D2-33E212.500000T.pdf | |
 | PZU30BA,115 | DIODE ZENER 30V 320MW SOD323 | PZU30BA,115.pdf | |
| 4494-826 | 82mH Unshielded Wirewound Inductor 55mA 43 Ohm Max Nonstandard | 4494-826.pdf | |
 | ERA-6AEB3483V | RES SMD 348K OHM 0.1% 1/8W 0805 | ERA-6AEB3483V.pdf | |
| MRS25000C2870FCT00 | RES 287 OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C2870FCT00.pdf |
