Infineon Technologies IPB90N06S4L04ATMA1

IPB90N06S4L04ATMA1
제조업체 부품 번호
IPB90N06S4L04ATMA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Datesheet 다운로드
다운로드
IPB90N06S4L04ATMA1 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of IPB90N06S4L04ATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPB90N06S4L04ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB90N06S4L04ATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
IPB90N06S4L04ATMA1 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
IPB90N06S4L04ATMA1 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IPB90N06S4L04ATMA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IPx90N06S4L-04
PCN 부품 상태 변경Wafer Fab Transfer 02/Jun/2016
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황주문 불가
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C90A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs3.4m옴 @ 90A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.2V @ 90µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs170nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds13000pF @ 25V
전력 - 최대150W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지PG-TO263-3-2
표준 포장 1,000
다른 이름IPB90N06S4L-04
IPB90N06S4L-04-ND
SP000415574
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)IPB90N06S4L04ATMA1
관련 링크IPB90N06S, IPB90N06S4L04ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor
IPB90N06S4L04ATMA1 의 관련 제품
680µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 105°C EEE-FK1C681AP.pdf
4.7µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 1000 Hrs @ 105°C UZT1V4R7MCL1GB.pdf
1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) 885012007045.pdf
3.3µF Molded Tantalum Capacitors 25V 2312 (6032 Metric) 2 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) TH3C335K025F2000.pdf
26MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F26025AAT.pdf
MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC SI4487DY-T1-GE3.pdf
AC/DC CONVERTER 48V 240W DNR240TS48-I.pdf
2 Line Common Mode Choke Through Hole 6.6A DCR 22 mOhm CMT-8107-B.pdf
2.7nH Unshielded Multilayer Inductor 880mA 50 mOhm Max 0603 (1608 Metric) ELJ-QE2N7ZFA.pdf
RES SMD 16 OHM 5% 22W 2512 RCP2512B16R0JEC.pdf
RES SMD 620 OHM 2% 22W 2512 RCP2512W620RGWB.pdf
SENSOR HALL EFFECT UNIPLR SOT23W A1121LLHLX-T.pdf