Infineon Technologies IPD031N03LGATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPD031N03LGATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPD031N03LGATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1271 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 968.52000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPD031N03LGATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPD031N03LGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD031N03LGATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPD031N03LGATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPD031N03LGATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD031N03LGATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IP(D,S)031N03L G | |
| PCN 설계/사양 | CoolMOS/OptiMOS Halogen Free 10/Dec/2008 | |
| PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.1m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 51nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5300pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 94W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | IPD021N03LGINCT IPD021N03LGINCT-ND IPD031N03LGINCT IPD031N03LGINCT-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPD031N03LGATMA1 | |
| 관련 링크 | IPD031N0, IPD031N03LGATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPD031N03LGATMA1 의 관련 제품
 | EMVK350ADA220MF55G | 22µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 1000 Hrs @ 105°C | EMVK350ADA220MF55G.pdf | |
-27.jpg) | CL32B106KBJNNWE | 10µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | CL32B106KBJNNWE.pdf | |
 | C921U820JYSDCA7317 | 82pF 400VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.354" Dia(9.00mm) | C921U820JYSDCA7317.pdf | |
-Kemet.jpg) | C1206T152J1GCLTU | 1500pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206T152J1GCLTU.pdf | |
 | VJ1825Y184JBBAT4X | 0.18µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825Y184JBBAT4X.pdf | |
 | NOJS106M004RWJ | 10µF Niobium Oxide Capacitor 4V 1206 (3216 Metric) 2.2 Ohm ESR | NOJS106M004RWJ.pdf | |
 | KC5032K28.6364C10E00 | 28.6364MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.8V, 2.5V, 3.3V 5mA Standby (Power Down) | KC5032K28.6364C10E00.pdf | |
 | SD3220S100S5R0 | DIODE SCHOTTKY 100V 5A SMC | SD3220S100S5R0.pdf | |
 | RNCF0603DTC150R | RES SMD 150 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RNCF0603DTC150R.pdf | |
 | WS2M20R0J | RES 20 OHM 2W 5% AXIAL | WS2M20R0J.pdf | |
 | MS46SR-20-785-Q2-10X-30R-NC-AP | SYSTEM | MS46SR-20-785-Q2-10X-30R-NC-AP.pdf | |
 | PX2AG1XX016BSABX | Pressure Sensor 232.06 PSI (1600 kPa) Sealed Gauge Male - 1/4" (6.35mm) BSPP 0.25 V ~ 4.75 V Cylinder | PX2AG1XX016BSABX.pdf |
