창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD036N04L G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPD036N04L G | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.6m옴 @ 90A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 45µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 78nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6300pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 94W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD036N04L G-ND IPD036N04LG IPD036N04LGBTMA1 SP000387945 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPD036N04L G | |
관련 링크 | IPD036, IPD036N04L G Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | RG1005N-392-D-T10 | RES SMD 3.9K OHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005N-392-D-T10.pdf | |
![]() | CMF506K1900FKEB | RES 6.19K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF506K1900FKEB.pdf |