창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD048N06L3GBTMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPD048N06L3 G | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.8m옴 @ 90A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 58µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8400pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 115W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD048N06L3 G IPD048N06L3 G-ND IPD048N06L3GBTMA1TR SP000453334 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPD048N06L3GBTMA1 | |
관련 링크 | IPD048N0, IPD048N06L3GBTMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | TH3B226M016D1900 | 22µF Molded Tantalum Capacitors 16V 1411 (3528 Metric) 1.9 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | TH3B226M016D1900.pdf | |
![]() | FXO-LC725-100 | 100MHz LVDS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 2.5V 34mA Enable/Disable | FXO-LC725-100.pdf | |
![]() | DMN2028UFDH-7 | MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI | DMN2028UFDH-7.pdf | |
![]() | AC0402JR-079K1L | RES SMD 9.1K OHM 5% 1/16W 0402 | AC0402JR-079K1L.pdf | |
![]() | RT0805CRE07422RL | RES SMD 422 OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRE07422RL.pdf | |
![]() | PAT0603E6340BST1 | RES SMD 634 OHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E6340BST1.pdf | |
![]() | TNPU120614K7AZEN00 | RES SMD 14.7KOHM 0.05% 1/4W 1206 | TNPU120614K7AZEN00.pdf | |
![]() | CMF601M6200FKEK | RES 1.62M OHM 1W 1% AXIAL | CMF601M6200FKEK.pdf |