창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD04N03LB G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IP(D,F,S,U)04N03LB G | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 04/Jun/2009 | |
카탈로그 페이지 | 1612 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.1m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 70µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5200pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 115W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | IPD04N03LBG IPD04N03LBGINCT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPD04N03LB G | |
관련 링크 | IPD04N, IPD04N03LB G Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | LQB15NNR33J10D | 330nH Shielded Multilayer Inductor 300mA 600 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQB15NNR33J10D.pdf | |
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![]() | RT1210BRD07365RL | RES SMD 365 OHM 0.1% 1/4W 1210 | RT1210BRD07365RL.pdf | |
![]() | 4306R-101-154 | RES ARRAY 5 RES 150K OHM 6SIP | 4306R-101-154.pdf | |
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![]() | CW010634R0KE123 | RES 634 OHM 13W 10% AXIAL | CW010634R0KE123.pdf | |
![]() | Y0786105R000B9L | RES 105 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y0786105R000B9L.pdf | |
![]() | P51-75-A-Y-MD-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-75-A-Y-MD-4.5OVP-000-000.pdf |