창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD060N03LGATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IP(D,F,S,U)060N03L G | |
PCN 설계/사양 | CoolMOS/OptiMOS Halogen Free 10/Dec/2008 | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1613 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2400pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 56W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD060N03L G IPD060N03LG IPD060N03LGATMA1TR IPD060N03LGINTR IPD060N03LGINTR-ND IPD060N03LGXT SP000680632 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPD060N03LGATMA1 | |
관련 링크 | IPD060N0, IPD060N03LGATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | TISP8210MDR-S | SURGE PROT THYRIST NEG V SLIC | TISP8210MDR-S.pdf | |
AM-27.000MAGE-T | 27MHz ±30ppm 수정 12pF 80옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD | AM-27.000MAGE-T.pdf | ||
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![]() | B82422A1103K108 | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 180mA 1.6 Ohm Max 2-SMD | B82422A1103K108.pdf | |
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![]() | 4308R-101-241 | RES ARRAY 7 RES 240 OHM 8SIP | 4308R-101-241.pdf | |
![]() | CS5DR004E | RES 0.004 OHM 5W 0.5% 4SIP | CS5DR004E.pdf | |
![]() | CMF55120R00FKR639 | RES 120 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55120R00FKR639.pdf | |
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![]() | P51-200-S-H-MD-5V-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Sealed Gauge Male - M12 x 1.5 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-200-S-H-MD-5V-000-000.pdf |