창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD06N03LB G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPD06N03LBG | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 04/Jun/2009 | |
카탈로그 페이지 | 1612 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.1m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 40µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2800pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 83W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | IPD06N03LBG IPD06N03LBGINCT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPD06N03LB G | |
관련 링크 | IPD06N, IPD06N03LB G Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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06033C272KAT2A | 2700pF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06033C272KAT2A.pdf | ||
3640JC392MAT3A\SB | 3900pF 4000V(4kV) 세라믹 커패시터 X7R 3640(9110 미터법) 0.360" L x 0.402" W(9.14mm x 10.20mm) | 3640JC392MAT3A\SB.pdf | ||
GRM1556T1H1R9CD01D | 1.9pF 50V 세라믹 커패시터 T2H 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1556T1H1R9CD01D.pdf | ||
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CRCW060317R8FKEB | RES SMD 17.8 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW060317R8FKEB.pdf | ||
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CMF5587K600BHRE | RES 87.6K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF5587K600BHRE.pdf | ||
P51-300-A-O-I36-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-300-A-O-I36-4.5OVP-000-000.pdf |