Infineon Technologies IPD082N10N3GATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPD082N10N3GATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPD082N10N3GATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 612.02718
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPD082N10N3GATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPD082N10N3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD082N10N3GATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPD082N10N3GATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPD082N10N3GATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD082N10N3GATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPx08xN10N3 G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.2m옴 @ 73A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 75µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3980pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | IPD082N10N3GATMA1-ND IPD082N10N3GATMA1TR SP001127824 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPD082N10N3GATMA1 | |
| 관련 링크 | IPD082N1, IPD082N10N3GATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPD082N10N3GATMA1 의 관련 제품
.jpg) | C0805C271J3GACTU | 270pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C271J3GACTU.pdf | |
 | T530X687M004ASE010 | 680µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 4V 2917 (7343 Metric) 10 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T530X687M004ASE010.pdf | |
 | 0034.6714 | FUSE BRD MNT 800MA 250VAC 125VDC | 0034.6714.pdf | |
 | FXO-HC330R-4 | 4MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 32mA Enable/Disable | FXO-HC330R-4.pdf | |
 | 744774182 | 82µH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 600 mOhm Max Nonstandard | 744774182.pdf | |
 | CRCW0402226KFKED | RES SMD 226K OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW0402226KFKED.pdf | |
.jpg) | AR0805FR-07560KL | RES SMD 560K OHM 1% 1/8W 0805 | AR0805FR-07560KL.pdf | |
 | MMF-25FRF180R | RES SMD 180 OHM 1% 1/4W MELF | MMF-25FRF180R.pdf | |
 | CRCW20103K74FKEF | RES SMD 3.74K OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW20103K74FKEF.pdf | |
 | AA1218FK-0746K4L | RES SMD 46.4K OHM 1W 1812 WIDE | AA1218FK-0746K4L.pdf | |
.jpg) | TNPW1206464KBEEN | RES SMD 464K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW1206464KBEEN.pdf | |
 | TC124-FR-07150KL | RES ARRAY 4 RES 150K OHM 0804 | TC124-FR-07150KL.pdf |
