창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD088N06N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPD088N06N3 G | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.8m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 34µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 48nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3900pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 71W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD088N06N3 G-ND IPD088N06N3G IPD088N06N3GBTMA1 SP000453620 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPD088N06N3 G | |
관련 링크 | IPD088, IPD088N06N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | 445W23J25M00000 | 25MHz ±20ppm 수정 9pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W23J25M00000.pdf | |
![]() | PHP02512E3010BST5 | RES SMD 301 OHM 0.1% 2.5W 2512 | PHP02512E3010BST5.pdf | |
![]() | RT0805DRD0739RL | RES SMD 39 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRD0739RL.pdf | |
![]() | PRNF14FTD10K0 | RES 10K OHM 1/4W 1% AXIAL | PRNF14FTD10K0.pdf | |
![]() | CMF6024R000FKEB70 | RES 24 OHM 1W 1% AXIAL | CMF6024R000FKEB70.pdf | |
![]() | RSPF3JA8R20 | RES FLAMEPROOF 3W 8.2 OHM 5% | RSPF3JA8R20.pdf | |
![]() | P51-15-A-Y-D-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-15-A-Y-D-4.5OVP-000-000.pdf |