Infineon Technologies IPD090N03L G

IPD090N03L G
제조업체 부품 번호
IPD090N03L G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
Datesheet 다운로드
다운로드
IPD090N03L G 가격 및 조달

가능 수량

1217 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 641.20000
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of IPD090N03L G, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPD090N03L G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD090N03L G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
IPD090N03L G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
IPD090N03L G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IPD090N03L G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IP(D,F,S,U)090N03LG
PCN 설계/사양CoolMOS/OptiMOS Halogen Free 10/Dec/2008
PCN 포장Cover Tape Width Update 17/Jun/2015
Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015
카탈로그 페이지 1613 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장컷 테이프(CT)
부품 현황단종
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C40A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs9m옴 @ 30A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs15nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1600pF @ 15V
전력 - 최대42W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지PG-TO252-3
표준 포장 1
다른 이름IPD090N03LGINCT
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)IPD090N03L G
관련 링크IPD090, IPD090N03L G Datasheet, Infineon Technologies Distributor
IPD090N03L G 의 관련 제품
10µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C UPS2D100MPD1TD.pdf
1.2pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.060" L x 0.030" W(1.52mm x 0.76mm) 06032U1R2BAT2A.pdf
32.768kHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.8V 3mA Enable/Disable TC70M3A32K7680.pdf
666.667MHz LVDS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 100mA Enable/Disable FXO-LC730R-666.667.pdf
100MHz HCSL MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 42mA Enable/Disable DSC1124AI1-100.0000T.pdf
1.2µH Shielded Inductor 725mA 380 mOhm Max 1812 (4532 Metric) S1812R-122J.pdf
10µH Unshielded Toroidal Inductor 4.7A 18.3 mOhm Max Radial CTX10-2-52M-R.pdf
RES SMD 221K OHM 1% 1/8W 0805 MCR10ERTF2213.pdf
RES SMD 130 OHM 0.5% 1/16W 0402 RT0402DRE07130RL.pdf
RES SMD 33.2K OHM 1% 1/10W 0603 AR0603FR-0733K2L.pdf
RES SMD 301 OHM 0.05% 1/4W 0805 PLTT0805Z3010AGT5.pdf
RF TXRX MODULE 802.15.4 CHIP ANT ATZB-X0-256-3-0-C.pdf