Infineon Technologies IPD090N03L G

IPD090N03L G
제조업체 부품 번호
IPD090N03L G
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3
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내부 부품 번호EIS-IPD090N03L G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IP(D,F,S,U)090N03LG
PCN 설계/사양CoolMOS/OptiMOS Halogen Free 10/Dec/2008
PCN 포장Cover Tape Width Update 17/Jun/2015
Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015
카탈로그 페이지 1613 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장컷 테이프(CT)
부품 현황단종
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C40A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs9m옴 @ 30A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs15nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1600pF @ 15V
전력 - 최대42W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지PG-TO252-3
표준 포장 1
다른 이름IPD090N03LGINCT
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IPD090N03L G
관련 링크IPD090, IPD090N03L G Datasheet, Infineon Technologies Distributor
IPD090N03L G 의 관련 제품
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RES ARRAY 4 RES MULT OHM 8SOIC HTRN100-1T5.pdf
RES 9.5K OHM 0.6W 0.005% RADIAL Y00629K50000V0L.pdf