창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD090N03L G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IP(D,F,S,U)090N03LG | |
PCN 설계/사양 | CoolMOS/OptiMOS Halogen Free 10/Dec/2008 | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1613 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1600pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 42W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | IPD090N03LGINCT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPD090N03L G | |
관련 링크 | IPD090, IPD090N03L G Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | 416F25025ILT | 25MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F25025ILT.pdf | |
![]() | S4PB-M3/86A | DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A | S4PB-M3/86A.pdf | |
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![]() | LO T676-R1S2-24-Z | Orange 606nm LED Indication - Discrete 2V 2-PLCC | LO T676-R1S2-24-Z.pdf | |
![]() | KA-81475 | RELAY GEN PURP | KA-81475.pdf | |
![]() | LVK20R050DER | RES SMD 0.05 OHM 0.5% 3/4W 2010 | LVK20R050DER.pdf | |
![]() | FRM1WSJR-52-22R | RES 22 OHM 1W 5% AXIAL | FRM1WSJR-52-22R.pdf | |
![]() | CP002512R00JB14 | RES 12 OHM 25W 5% AXIAL | CP002512R00JB14.pdf |