Infineon Technologies IPD180N10N3 G
- 제조업체 부품 번호
- IPD180N10N3 G
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPD180N10N3 G 가격 및 조달
가능 수량
11150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 370.65600
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPD180N10N3 G, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPD180N10N3 G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD180N10N3 G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPD180N10N3 G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPD180N10N3 G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD180N10N3 G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPD180N10N3 G | |
| PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 43A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 33A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 33µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 71W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | IPD180N10N3 G-ND IPD180N10N3G IPD180N10N3GBTMA1 SP000482438 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPD180N10N3 G | |
| 관련 링크 | IPD180, IPD180N10N3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPD180N10N3 G 의 관련 제품
 | UPW2G470MHH | 47µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can 8000 Hrs @ 105°C | UPW2G470MHH.pdf | |
-2.jpg) | C0402C0G1C1R3B | 1.3pF 16V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | C0402C0G1C1R3B.pdf | |
 | C1210C105K1RALTU | 1µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C1210C105K1RALTU.pdf | |
 | RPE5C2A1R0C2M1B03A | 1pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.098" W(5.00mm x 2.50mm) | RPE5C2A1R0C2M1B03A.pdf | |
 | MKP1848S57010JP4F | 7µF Film Capacitor 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 1.181" W (42.00mm x 30.00mm) | MKP1848S57010JP4F.pdf | |
 | ASFL1-29.4912MHZ-EC-T | 29.4912MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 15mA Enable/Disable | ASFL1-29.4912MHZ-EC-T.pdf | |
 | MM3Z33VT1G | DIODE ZENER 33V 300MW SOD323 | MM3Z33VT1G.pdf | |
 | IRF540NLPBF | MOSFET N-CH 100V 33A TO-262 | IRF540NLPBF.pdf | |
 | 2222-V-RC | 680µH Shielded Toroidal Inductor 2.1A 230 mOhm Max Radial | 2222-V-RC.pdf | |
 | J7MN3R8 | CONTACTOR | J7MN3R8.pdf | |
.jpg) | TNPW120614R0BETA | RES SMD 14 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW120614R0BETA.pdf | |
| P61-2000-S-A-I18-4.5V-A | Pressure Sensor 2000 PSI (13789.51 kPa) Sealed Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P61-2000-S-A-I18-4.5V-A.pdf |
