Infineon Technologies IPD25CN10NGATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPD25CN10NGATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPD25CN10NGATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 400.30848
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPD25CN10NGATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPD25CN10NGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD25CN10NGATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPD25CN10NGATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPD25CN10NGATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD25CN10NGATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPx2xCN10N G | |
| PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 25m옴 @ 35A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 39µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2070pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 71W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | IPD25CN10NGATMA1-ND IPD25CN10NGATMA1TR SP001127810 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPD25CN10NGATMA1 | |
| 관련 링크 | IPD25CN1, IPD25CN10NGATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPD25CN10NGATMA1 의 관련 제품
 | UPJ0J152MPD1TD | 1500µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UPJ0J152MPD1TD.pdf | |
 | 0154.315DR | FUSE BOARD MNT 315MA 125VAC/VDC | 0154.315DR.pdf | |
 | SMDJ120A-HR | TVS DIODE 120VWM 193VC 214AB | SMDJ120A-HR.pdf | |
 | ABM3C-18.432MHZ-D4Y-T | 18.432MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM3C-18.432MHZ-D4Y-T.pdf | |
 | 403I35D40M00000 | 40MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 403I35D40M00000.pdf | |
-3.20-mm-x-2.50-mm.jpg) | DSC1001CI1-008.0000T | 8MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 6.3mA Standby (Power Down) | DSC1001CI1-008.0000T.pdf | |
 | BZT55C33-GS08 | DIODE ZENER 33V 500MW SOD80 | BZT55C33-GS08.pdf | |
.jpg) | LQG15HS3N9S02D | 3.9nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 180 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQG15HS3N9S02D.pdf | |
.jpg) | TNPW25128K06BEEY | RES SMD 8.06K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW25128K06BEEY.pdf | |
.jpg) | RCS0805300KFKEA | RES SMD 300K OHM 1% 0.4W 0805 | RCS0805300KFKEA.pdf | |
 | CMF551K5400FEEB | RES 1.54K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF551K5400FEEB.pdf | |
 | HL-G105A-RS-J | LSR DSPLC SNSR SPC RFLC RS-485/4 | HL-G105A-RS-J.pdf |
