Infineon Technologies IPD26N06S2L35ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPD26N06S2L35ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPD26N06S2L35ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPD26N06S2L35ATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPD26N06S2L35ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD26N06S2L35ATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPD26N06S2L35ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPD26N06S2L35ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD26N06S2L35ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPD26N06S2L-35 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab/Test Site Addition 16/Oct/2014 Wafer Fab/Test Site Addition 15/Dec/2014 | |
| PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 35m옴 @ 13A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 26µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 621pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 68W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | IPD26N06S2L-35 IPD26N06S2L-35-ND SP000252165 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPD26N06S2L35ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPD26N06S, IPD26N06S2L35ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPD26N06S2L35ATMA1 의 관련 제품
 | GRM1885C1H300GA01J | 30pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C1H300GA01J.pdf | |
| GRM0335C1H5R5BD01D | 5.5pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1H5R5BD01D.pdf | |
 | MKP385575040JPM4T0 | 7.5µF Film Capacitor 200V 400V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.693" L x 0.846" W (43.00mm x 21.50mm) | MKP385575040JPM4T0.pdf | |
 | 0273.031V | FUSE BRD MNT 31MA 125VAC/VDC RAD | 0273.031V.pdf | |
| 38706300000 | FUSE BOARD MOUNT 630MA | 38706300000.pdf | |
 | SIT9002AI-43N25SQ | 1MHz ~ 220MHz HCSL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 80mA Standby | SIT9002AI-43N25SQ.pdf | |
 | AIML-1206-150K-T | 15µH Shielded Multilayer Inductor 5mA 800 mOhm Max 1206 (3216 Metric) | AIML-1206-150K-T.pdf | |
 | MCR18ERTF3161 | RES SMD 3.16K OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18ERTF3161.pdf | |
 | SM4124FT7R32 | RES SMD 7.32 OHM 1% 2W 4124 | SM4124FT7R32.pdf | |
 | 766161104GP | RES ARRAY 15 RES 100K OHM 16SOIC | 766161104GP.pdf | |
 | SI4764-A20-AM | - RF Receiver AM, FM, RDS 520kHz ~ 1.71MHz, 64MHz ~ 108MHz PCB, Surface Mount 40-QFN (6x6) | SI4764-A20-AM.pdf | |
| P61-500-A-A-I72-4.5V-C | Pressure Sensor 500 PSI (3447.38 kPa) Absolute Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P61-500-A-A-I72-4.5V-C.pdf |
