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Infineon Technologies IPD30N03S4L-09

IPD30N03S4L-09
제조업체 부품 번호
IPD30N03S4L-09
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
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내부 부품 번호EIS-IPD30N03S4L-09
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IPD30N03S4L-09
PCN 포장Cover Tape Width Update 17/Jun/2015
Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015
카탈로그 페이지 1611 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C30A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs9m옴 @ 30A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.2V @ 13µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs20nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1520pF @ 15V
전력 - 최대42W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지PG-TO252-3
표준 포장 2,500
다른 이름IPD30N03S4L-09-ND
IPD30N03S4L-09INTR
IPD30N03S4L09
IPD30N03S4L09ATMA1
SP000415578
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IPD30N03S4L-09
관련 링크IPD30N0, IPD30N03S4L-09 Datasheet, Infineon Technologies Distributor
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