Infineon Technologies IPD30N08S222ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPD30N08S222ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPD30N08S222ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 556.10760
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPD30N08S222ATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPD30N08S222ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD30N08S222ATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPD30N08S222ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPD30N08S222ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD30N08S222ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPD30N08S2-22 | |
| PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 21.5m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 80µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 57nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 136W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | IPD30N08S2-22 IPD30N08S2-22-ND SP000252169 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPD30N08S222ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPD30N08, IPD30N08S222ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPD30N08S222ATMA1 의 관련 제품
 | EKXJ351ELL470MJ40S | 47µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can 12000 Hrs @ 105°C | EKXJ351ELL470MJ40S.pdf | |
.jpg) | C0805C472KARACTU | 4700pF 250V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C472KARACTU.pdf | |
-9.jpg) | CL10C221KD8NNNC | 220pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CL10C221KD8NNNC.pdf | |
 | C0603C279C2GACTU | 2.7pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C279C2GACTU.pdf | |
 | 416F25013ITT | 25MHz ±10ppm 수정 6pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F25013ITT.pdf | |
 | DDTB142JU-7 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 | DDTB142JU-7.pdf | |
 | APA2106ZGCK | Green 525nm LED Indication - Discrete 3.3V 2-SMD, No Lead | APA2106ZGCK.pdf | |
 | SRP1245A-100M | 10µH Shielded Wirewound Inductor 9A 25.5 mOhm Max Nonstandard | SRP1245A-100M.pdf | |
 | P0153NLT | 472µH Unshielded Toroidal Inductor 530mA 1.52 Ohm Max Nonstandard | P0153NLT.pdf | |
 | RG1608P-1871-D-T5 | RES SMD 1.87KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608P-1871-D-T5.pdf | |
| RG2012N-3160-B-T5 | RES SMD 316 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012N-3160-B-T5.pdf | |
 | UCC38C44DG4 | Converter Offline Forward Topology Up to 1MHz 8-SOIC | UCC38C44DG4.pdf |
