Infineon Technologies IPD320N20N3GBTMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPD320N20N3GBTMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPD320N20N3GBTMA1 가격 및 조달
가능 수량
2147 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,664.04800
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPD320N20N3GBTMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPD320N20N3GBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD320N20N3GBTMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPD320N20N3GBTMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPD320N20N3GBTMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD320N20N3GBTMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPD320N20N3G | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Dev EOL 20/Oct/2015 | |
| PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 34A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 32m옴 @ 34A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 90µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2350pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 136W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | IPD320N20N3 GCT IPD320N20N3 GCT-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPD320N20N3GBTMA1 | |
| 관련 링크 | IPD320N2, IPD320N20N3GBTMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPD320N20N3GBTMA1 의 관련 제품
 | 12061C332JAT2A | 3300pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12061C332JAT2A.pdf | |
 | GRM1555C1H5R9CZ01D | 5.9pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1H5R9CZ01D.pdf | |
 | MKP385656016JYM5T0 | 56µF Film Capacitor 110V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 2.264" L x 1.181" W (57.50mm x 30.00mm) | MKP385656016JYM5T0.pdf | |
| 2903119 | FUSE CERAMIC 30A | 2903119.pdf | |
-2.50-mm-x-2.00-mm.jpg) | DSC1033DI1-010.0000T | 10MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 3mA (Typ) Standby (Power Down) | DSC1033DI1-010.0000T.pdf | |
 | HSMS-281L-BLKG | DIODE SCHOTTKY GP LN 20V SOT-363 | HSMS-281L-BLKG.pdf | |
 | HSMP-3816-TR2G | DIODE PIN ATTENUATOR SOT-25 | HSMP-3816-TR2G.pdf | |
 | DRC3115T0L | TRANS PREBIAS NPN 100MW SSSMINI3 | DRC3115T0L.pdf | |
 | AON7810 | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DFN | AON7810.pdf | |
 | CW252016-68NJ | 68nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 200 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | CW252016-68NJ.pdf | |
| F30J40R | RES CHAS MNT 40 OHM 5% 30W | F30J40R.pdf | |
 | ERA-1AEB2210C | RES SMD 221 OHM 0.1% 1/20W 0201 | ERA-1AEB2210C.pdf |
