창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD33CN10NGATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx3xCN10N G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 33m옴 @ 27A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 29µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1570pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 58W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD33CN10NGATMA1-ND IPD33CN10NGATMA1TR SP001127812 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPD33CN10NGATMA1 | |
관련 링크 | IPD33CN1, IPD33CN10NGATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | RG3216V-2262-B-T5 | RES SMD 22.6K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216V-2262-B-T5.pdf | |
![]() | TNPW2512196KBEEG | RES SMD 196K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW2512196KBEEG.pdf | |
![]() | CRCW020123K7FNED | RES SMD 23.7K OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW020123K7FNED.pdf | |
![]() | P51-300-G-I-M12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Vented Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-300-G-I-M12-4.5V-000-000.pdf |