창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD35N10S3L26ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPD35N10S3L-26 | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 35A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 39µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2700pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 71W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3-11 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD35N10S3L-26 IPD35N10S3L-26-ND IPD35N10S3L26ATMA1TR SP000386184 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPD35N10S3L26ATMA1 | |
관련 링크 | IPD35N10S, IPD35N10S3L26ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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V10P20PL1T7 | VARISTOR 33V 2KA DISC 10MM | V10P20PL1T7.pdf | ||
![]() | CMR309T49.152MABJTR | 49.152MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 원통형 캔, 레이디얼 | CMR309T49.152MABJTR.pdf | |
![]() | FT63EH500 | 50 Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Side Adjustment | FT63EH500.pdf | |
![]() | RN73G2A154KDTDF | RES SMD 154K OHM 0.5% 1/10W 0805 | RN73G2A154KDTDF.pdf | |
![]() | RG3216P-8063-B-T1 | RES SMD 806K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-8063-B-T1.pdf | |
![]() | PHP00603E61R2BBT1 | RES SMD 61.2 OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E61R2BBT1.pdf | |
![]() | RNF18BTC6K65 | RES 6.65K OHM 1/8W .1% AXIAL | RNF18BTC6K65.pdf | |
![]() | CMF552K0000FHBF | RES 2K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF552K0000FHBF.pdf | |
![]() | CPCP0322R00JB32 | RES 22 OHM 3W 5% RADIAL | CPCP0322R00JB32.pdf | |
![]() | SF2B-A14-P | LITE CURTAIN ARM/FT PNP 552MM | SF2B-A14-P.pdf |