Infineon Technologies IPD400N06NGBTMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPD400N06NGBTMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 27A TO-252
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPD400N06NGBTMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 340.56360
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPD400N06NGBTMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPD400N06NGBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD400N06NGBTMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPD400N06NGBTMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPD400N06NGBTMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD400N06NGBTMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPD400N06N G | |
| PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 27A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 28µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 650pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 68W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | IPD400N06N G IPD400N06N G-ND IPD400N06NGINTR IPD400N06NGINTR-ND IPD400N06NGXT SP000203938 SP000443744 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPD400N06NGBTMA1 | |
| 관련 링크 | IPD400N0, IPD400N06NGBTMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPD400N06NGBTMA1 의 관련 제품
 | B37979N1220J000 | 22pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.217" L x 0.197" W(5.50mm x 5.00mm) | B37979N1220J000.pdf | |
 | QAK2J105KTP | 1µF Film Capacitor 630V Polyester, Metallized Axial 0.866" W, 0.433" T x 1.732" L (22.00mm, 11.00mm x 44.00mm) | QAK2J105KTP.pdf | |
 | ASTMHTV-16.000MHZ-AK-E | 16MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTV-16.000MHZ-AK-E.pdf | |
-7.00-mm-x-5.00-mm.jpg) | DSC1001AE1-033.0000T | 33MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 7.2mA Standby (Power Down) | DSC1001AE1-033.0000T.pdf | |
 | CRCW20107R87FNTF | RES SMD 7.87 OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW20107R87FNTF.pdf | |
.jpg) | PE0402FRF7W0R62L | RES SMD 0.62 OHM 1% 1/8W 0402 | PE0402FRF7W0R62L.pdf | |
 | Y174532K5000T9R | RES SMD 32.5K OHM 0.16W 2512 | Y174532K5000T9R.pdf | |
 | CRCW12061K80JNTB | RES SMD 1.8K OHM 5% 1/4W 1206 | CRCW12061K80JNTB.pdf | |
 | CMF551K3200BEEB | RES 1.32K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF551K3200BEEB.pdf | |
 | CP00074R700KB143 | RES 4.7 OHM 7W 10% AXIAL | CP00074R700KB143.pdf | |
 | ACS716KLATR-12CB-NL-T | Current Sensor 12.5A 1 Channel Hall Effect, Open Loop Bidirectional 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) | ACS716KLATR-12CB-NL-T.pdf | |
| P51-200-G-O-I12-20MA-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Vented Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-200-G-O-I12-20MA-000-000.pdf |
