Infineon Technologies IPD50N03S207ATMA1

IPD50N03S207ATMA1
제조업체 부품 번호
IPD50N03S207ATMA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Datesheet 다운로드
다운로드
IPD50N03S207ATMA1 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 479.99960
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of IPD50N03S207ATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPD50N03S207ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD50N03S207ATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
IPD50N03S207ATMA1 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
IPD50N03S207ATMA1 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IPD50N03S207ATMA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IPD50N03S2-07
PCN 포장Cover Tape Width Update 17/Jun/2015
Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C50A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs7.3m옴 @ 50A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 85µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs68nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2000pF @ 25V
전력 - 최대136W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지PG-TO252-3
표준 포장 2,500
다른 이름IPD50N03S2-07
IPD50N03S2-07-ND
SP000254462
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)IPD50N03S207ATMA1
관련 링크IPD50N03, IPD50N03S207ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor
IPD50N03S207ATMA1 의 관련 제품
33µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 1000 Hrs @ 105°C UWT1E330MCL1GB.pdf
470µF 220V Aluminum Capacitors Radial, Can 12000 Hrs @ 105°C 220TXW470MEFC18X45.pdf
10000pF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) CL05B103MO5NNNC.pdf
0.22µF Film Capacitor 220V 450V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.236" W (18.00mm x 6.00mm) B32672Z4224K.pdf
680µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 10V 3024 (7660 Metric) 28 mOhm 0.299" L x 0.236" W (7.60mm x 6.00mm) 13008-022MESB/HR.pdf
THYRISTOR PROTECT BI-DIR 50A SMB TB3500M-13.pdf
DIODE ZENER 4.7V 1.5W DO204AL 1N5917P/TR8.pdf
6.8µH Shielded Inductor 1.2A 105 mOhm Max Nonstandard CLS5D14NP-6R8NC.pdf
3.3nH Unshielded Inductor 1.562A 50 mOhm Max Nonstandard 1008-033M.pdf
General Purpose Digital Isolator 3000Vrms 2 Channel 150Mbps 75kV/µs CMTI 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) ADUM121N0BRZ-RL7.pdf
RES SMD 2.4591K OHM 1/5W 0805 Y16242K45910T0W.pdf
SPARE RECEIVER MS46LR-30-1045-Q1-R-NC-FN.pdf