창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD50N06S4L08ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPD50N06S4L-08 | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Wafer Fab Transfer 02/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.8m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 35µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4780pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 71W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD50N06S4L-08 IPD50N06S4L-08-ND SP000374322 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPD50N06S4L08ATMA1 | |
관련 링크 | IPD50N06S, IPD50N06S4L08ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | ERA-V27J561V | RES TEMP SENS 560 OHM 5% 1/16W | ERA-V27J561V.pdf | |
![]() | RSF2JBR180 | RES MO 2W 0.18 OHM 5% AXIAL | RSF2JBR180.pdf | |
HMC218BMS8GE | RF Mixer IC WiMax Down Converter 3.5GHz ~ 8GHz 8-MSOP-EP | HMC218BMS8GE.pdf | ||
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