Infineon Technologies IPD50R1K4CEBTMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPD50R1K4CEBTMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPD50R1K4CEBTMA1 가격 및 조달
가능 수량
3650 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 184.88322
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPD50R1K4CEBTMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPD50R1K4CEBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD50R1K4CEBTMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPD50R1K4CEBTMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPD50R1K4CEBTMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD50R1K4CEBTMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPx50R1K4CE | |
| PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ CE | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.1A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 900mA, 13V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 70µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 178pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 25W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | IPD50R1K4CEBTMA1TR IPD50R1K4CETR IPD50R1K4CETR-ND SP000992072 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPD50R1K4CEBTMA1 | |
| 관련 링크 | IPD50R1K, IPD50R1K4CEBTMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPD50R1K4CEBTMA1 의 관련 제품
 | 06035U1R7BAT2A | 1.7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.060" L x 0.030" W(1.52mm x 0.76mm) | 06035U1R7BAT2A.pdf | |
 | VJ0402D100MLXAJ | 10pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D100MLXAJ.pdf | |
 | GT-SMD181230012-TR | GDT 300V 20% 1KA SURFACE MOUNT | GT-SMD181230012-TR.pdf | |
 | AT-18.432MAPQ-T | 18.432MHz ±30ppm 수정 10pF 50옴 -40°C ~ 105°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | AT-18.432MAPQ-T.pdf | |
 | AOT7N60 | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 | AOT7N60.pdf | |
 | TLHG4200 | Green 569nm LED Indication - Discrete 2.4V Radial | TLHG4200.pdf | |
 | 1210R-151F | 150nH Unshielded Inductor 910mA 250 mOhm Max 2-SMD | 1210R-151F.pdf | |
 | S0603-47NG1D | 47nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 310 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-47NG1D.pdf | |
| PS2561DL1-1Y-F3-Q-A | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-DIP | PS2561DL1-1Y-F3-Q-A.pdf | |
 | MCR006YRTJ365 | RES SMD 3.6M OHM 5% 1/20W 0201 | MCR006YRTJ365.pdf | |
.jpg) | AT0603DRE075K36L | RES SMD 5.36KOHM 0.5% 1/10W 0603 | AT0603DRE075K36L.pdf | |
 | CMF5538R300FKEA | RES 38.3 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5538R300FKEA.pdf |
