Infineon Technologies IPD50R380CEATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPD50R380CEATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPD50R380CEATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPD50R380CEATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPD50R380CEATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD50R380CEATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPD50R380CEATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPD50R380CEATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD50R380CEATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPD50R380CE | |
| PCN 설계/사양 | Assembly/MSL Chg 2/Oct/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ CE | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.9A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 3.2A, 13V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 260µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24.8nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 584pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 73W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | IPD50R380CEATMA1-ND IPD50R380CEATMA1TR SP001117698 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPD50R380CEATMA1 | |
| 관련 링크 | IPD50R38, IPD50R380CEATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPD50R380CEATMA1 의 관련 제품
 | 1812AC220KATME | 22pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812AC220KATME.pdf | |
 | AP031A101JQT2A | 100pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | AP031A101JQT2A.pdf | |
 | SM6T100CA-E3/52 | TVS DIODE 85.5VWM 137VC SMB | SM6T100CA-E3/52.pdf | |
 | ASVMPC-32.000MHZ-LR-T | 32MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | ASVMPC-32.000MHZ-LR-T.pdf | |
 | 1N5931BP-TP | DIODE ZENER 18V 1.5W DO41 | 1N5931BP-TP.pdf | |
| UPA2813T1L-E2-AT | MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON | UPA2813T1L-E2-AT.pdf | |
 | IXFB82N60P | MOSFET N-CH 600V 82A PLUS 264 | IXFB82N60P.pdf | |
 | VSK-S20-5U-T | AC/DC CONVERTER 5V 20W | VSK-S20-5U-T.pdf | |
 | SP1210R-334K | 330µH Shielded Wirewound Inductor 88mA 26.8 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | SP1210R-334K.pdf | |
 | ERA-3AEB1373V | RES SMD 137K OHM 0.1% 1/10W 0603 | ERA-3AEB1373V.pdf | |
 | MN63Y3212N4 | RFID Tag Read/Write 4kb (User) Memory 13.56MHz ISO 14443 Coin | MN63Y3212N4.pdf | |
 | PM-U25 | SENSOR SLOT NPN | PM-U25.pdf |
