Infineon Technologies IPD50R950CEATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPD50R950CEATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPD50R950CEATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 206.97431
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPD50R950CEATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPD50R950CEATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD50R950CEATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPD50R950CEATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPD50R950CEATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD50R950CEATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | 500V CoolMOS CE Brief IPD50R950CE, IPU50R950CE | |
| PCN 설계/사양 | Assembly/MSL Chg 2/Oct/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ CE | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.3A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 950m옴 @ 1.2A, 13V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 231pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 34W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | IPD50R950CEATMA1-ND IPD50R950CEATMA1TR SP001117712 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPD50R950CEATMA1 | |
| 관련 링크 | IPD50R95, IPD50R950CEATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPD50R950CEATMA1 의 관련 제품
 | UPJ1V181MPD6TD | 180µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UPJ1V181MPD6TD.pdf | |
 | MAL212028331E3 | 330µF 63V Aluminum Capacitors Axial, Can 105 mOhm 8000 Hrs @ 125°C | MAL212028331E3.pdf | |
 | 1812GC332KAT3A\SB | 3300pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812GC332KAT3A\SB.pdf | |
 | R46KI333040H2M | 0.33µF Film Capacitor 275V 560V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.236" W (18.00mm x 6.00mm) | R46KI333040H2M.pdf | |
 | 1.5KE20A-TP | TVS DIODE 17.1VWM DO201AE | 1.5KE20A-TP.pdf | |
 | 445C23D25M00000 | 25MHz ±20ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C23D25M00000.pdf | |
 | SIT9121AI-2BF-33E40.000000T | OSC XO 3.3V 40MHZ | SIT9121AI-2BF-33E40.000000T.pdf | |
| T6271025B4DN | SCR FAST SW 1000V 250A TO200AB | T6271025B4DN.pdf | |
| C380PEX555 | THYRISTOR DSC 300A 1300V TO200AB | C380PEX555.pdf | |
| EL816(S1)(C)(TD) | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-SMD | EL816(S1)(C)(TD).pdf | |
.jpg) | PT0402JR-7W0R22L | RES SMD 0.22 OHM 5% 1/8W 0402 | PT0402JR-7W0R22L.pdf | |
.jpg) | RT0805WRE0732R4L | RES SMD 32.4 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRE0732R4L.pdf |
