Infineon Technologies IPD60N10S412ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPD60N10S412ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH TO252-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPD60N10S412ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 759.00480
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPD60N10S412ATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPD60N10S412ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD60N10S412ATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPD60N10S412ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPD60N10S412ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD60N10S412ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPD60N10S4-12 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12.2m옴 @ 60A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 46µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2470pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 94W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3-313 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SP001102936 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPD60N10S412ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPD60N10, IPD60N10S412ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPD60N10S412ATMA1 의 관련 제품
 | 08052U910KAT2A | 91pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08052U910KAT2A.pdf | |
 | ECC-A3A181JGE | 180pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 SL/GP 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | ECC-A3A181JGE.pdf | |
 | 683MPW400K | 0.068µF Film Capacitor 220V 400V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.335" Dia x 0.807" L (8.50mm x 20.50mm) | 683MPW400K.pdf | |
 | ECQ-E2A473MW | 0.047µF Film Capacitor 250V Polyester, Metallized Radial 0.670" L x 0.295" W (17.00mm x 7.50mm) | ECQ-E2A473MW.pdf | |
| 1N5379BE3/TR12 | DIODE ZENER 110V 5W T18 | 1N5379BE3/TR12.pdf | |
,TO-226_straightlead.jpg) | BCR1AM-12A#C01 | TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 | BCR1AM-12A#C01.pdf | |
 | AUIRFS3607 | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK | AUIRFS3607.pdf | |
 | 2938879 | AC/DC CONVERTER 24V 960W | 2938879.pdf | |
 | 1210-122H | 1.2µH Unshielded Inductor 497mA 750 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | 1210-122H.pdf | |
 | ERJ-3EKF1242V | RES SMD 12.4K OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-3EKF1242V.pdf | |
| VMD24493RSM-366 | 2.4GHz, 5.4GHz Dome RF Antenna 2.4GHz ~ 2.5GHz, 4.9GHz ~ 5.9GHz 4dBi Connector, RP-SMA Male Panel Mount | VMD24493RSM-366.pdf | |
 | EZR32LG230F128R69G-B0 | IC RF TxRx + MCU 802.15.4 EZRadioPro 142MHz ~ 1.05GHz 64-VFQFN Exposed Pad | EZR32LG230F128R69G-B0.pdf |
