창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD60N10S412ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPD60N10S4-12 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12.2m옴 @ 60A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 46µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2470pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 94W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3-313 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SP001102936 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPD60N10S412ATMA1 | |
관련 링크 | IPD60N10, IPD60N10S412ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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GRM31A5C2H181JW01D | 180pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRM31A5C2H181JW01D.pdf | ||
636L3I048M00000 | 48MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 25mA Enable/Disable | 636L3I048M00000.pdf | ||
MLF1608E120M | 12µH Shielded Multilayer Inductor 10mA 1.8 Ohm Max 0603 (1608 Metric) | MLF1608E120M.pdf | ||
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59075-2-T-04-C | Magnetic Reed Switch Magnet SPST-NO Wire Leads with Connector Cylinder, Threaded | 59075-2-T-04-C.pdf | ||
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