창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD60R650CEATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPD60R650CE, IPA60R650CE | |
주요제품 | Infineon CoolMOS CE | |
PCN 설계/사양 | Assembly/MSL Chg 2/Oct/2015 | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ CE | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 650m옴 @ 2.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 200µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 440pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 63W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD60R650CEATMA1TR SP001276026 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPD60R650CEATMA1 | |
관련 링크 | IPD60R65, IPD60R650CEATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | Y16291K00000F0W | RES SMD 1K OHM 1% 1/10W 0805 | Y16291K00000F0W.pdf | |
![]() | PPT0010DRR5VB | Pressure Sensor ±10 PSI (±68.95 kPa) Differential Male - 0.13" (3.18mm) Tube, Dual 0 V ~ 5 V Module Cube | PPT0010DRR5VB.pdf |