창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD65R420CFDAATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPD65R420CFDA | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Site Addition 10/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, CoolMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 420m옴 @ 3.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 345µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 870pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 83.3W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SP000928262 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPD65R420CFDAATMA1 | |
관련 링크 | IPD65R420, IPD65R420CFDAATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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Y16361K18895T0W | RES SMD 1.18895K OHM 1/10W 0603 | Y16361K18895T0W.pdf | ||
CMF5026R700FHEB | RES 26.7 OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF5026R700FHEB.pdf |