창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD65R600E6BTMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPx65R600E6 | |
제품 교육 모듈 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Halogen Free Upgrade 22/Aug/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 2.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 210µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 440pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 63W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD65R600E6 IPD65R600E6-ND IPD65R600E6BTMA1TR IPD65R600E6TR-ND SP000800216 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPD65R600E6BTMA1 | |
관련 링크 | IPD65R60, IPD65R600E6BTMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | 445C22K30M00000 | 30MHz ±20ppm 수정 8pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C22K30M00000.pdf | |
![]() | RC0603JR-0724RL | RES SMD 24 OHM 5% 1/10W 0603 | RC0603JR-0724RL.pdf | |
![]() | RG3216N-2203-D-T5 | RES SMD 220K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216N-2203-D-T5.pdf | |
![]() | RCS040215K8FKED | RES SMD 15.8K OHM 1% 1/5W 0402 | RCS040215K8FKED.pdf | |
![]() | RNF18FTD33K2 | RES 33.2K OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTD33K2.pdf | |
![]() | CMF551K4300FKEB | RES 1.43K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF551K4300FKEB.pdf | |
![]() | P51-100-G-G-I12-5V-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Vented Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-100-G-G-I12-5V-000-000.pdf |