창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD65R950CFDBTMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPD65R950CFD | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Halogen Free Upgrade 22/Aug/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | CoolMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 950m옴 @ 1.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 200µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14.1nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 380pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 36.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD65R950CFDBTMA1TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPD65R950CFDBTMA1 | |
관련 링크 | IPD65R95, IPD65R950CFDBTMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | 36D532G100CC2A | 5300µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 1000 Hrs @ 85°C | 36D532G100CC2A.pdf | |
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![]() | GRM1886R1H2R9CZ01D | 2.9pF 50V 세라믹 커패시터 R2H 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1886R1H2R9CZ01D.pdf | |
![]() | 402F24011CJT | 24MHz ±10ppm 수정 9pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F24011CJT.pdf | |
![]() | BZX84C10 TR | DIODE ZENER 10V 350MW SOT23 | BZX84C10 TR.pdf | |
![]() | IPG20N06S4L26ATMA1 | MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8 | IPG20N06S4L26ATMA1.pdf | |
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THS50180RJ | RES CHAS MNT 180 OHM 5% 50W | THS50180RJ.pdf | ||
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