Infineon Technologies IPD70N10S312ATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPD70N10S312ATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPD70N10S312ATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 706.59400
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPD70N10S312ATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPD70N10S312ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD70N10S312ATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPD70N10S312ATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPD70N10S312ATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD70N10S312ATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPD70N10S3-12 | |
| PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1611 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11.1m옴 @ 70A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 83µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 65nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4355pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | IPD70N10S3-12 IPD70N10S3-12-ND IPD70N10S3-12TR IPD70N10S3-12TR-ND IPD70N10S312 SP000427248 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPD70N10S312ATMA1 | |
| 관련 링크 | IPD70N10, IPD70N10S312ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPD70N10S312ATMA1 의 관련 제품
 | BFC238035303 | 0.03µF Film Capacitor 100V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.138" W (7.20mm x 3.50mm) | BFC238035303.pdf | |
| BFC247945104 | 0.1µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.256" W (12.50mm x 6.50mm) | BFC247945104.pdf | |
 | TPSMC22AHE3_A/H | TVS DIODE 18.8VWM 30.6VC SMC | TPSMC22AHE3_A/H.pdf | |
 | P6KE150A-B | TVS DIODE 128VWM 207VC DO204AC | P6KE150A-B.pdf | |
 | ABM2-48.000MHZ-D4YF-T | 48MHz ±30ppm 수정 18pF 70옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | ABM2-48.000MHZ-D4YF-T.pdf | |
 | SC104-390 | 39µH Unshielded Inductor 1.68A 151 mOhm Max Nonstandard | SC104-390.pdf | |
| 103R-822J | 8.2µH Unshielded Inductor 195mA 2.5 Ohm Max 2-SMD | 103R-822J.pdf | |
 | RMCF1206FT1R21 | RES SMD 1.21 OHM 1% 1/4W 1206 | RMCF1206FT1R21.pdf | |
 | RG2012N-1152-D-T5 | RES SMD 11.5K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012N-1152-D-T5.pdf | |
 | CRCW080511K8FHEAP | RES SMD 11.8K OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW080511K8FHEAP.pdf | |
 | CMF55113K00BHR6 | RES 113K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF55113K00BHR6.pdf | |
| BGU7258X | RF Amplifier IC ISM 5GHz ~ 6GHz 6-HXSON (1.6x1.6) | BGU7258X.pdf |
