Infineon Technologies IPD80R1K0CEBTMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPD80R1K0CEBTMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPD80R1K0CEBTMA1 가격 및 조달
가능 수량
3650 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 640.34531
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPD80R1K0CEBTMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPD80R1K0CEBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD80R1K0CEBTMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPD80R1K0CEBTMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPD80R1K0CEBTMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPD80R1K0CEBTMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPx80R1K0CE | |
| PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Halogen Part Status Rev 5/Aug/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | CoolMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 950m옴 @ 3.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 785pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 83W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | IPD80R1K0CEBTMA1TR SP001100606 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPD80R1K0CEBTMA1 | |
| 관련 링크 | IPD80R1K, IPD80R1K0CEBTMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPD80R1K0CEBTMA1 의 관련 제품
 | ELXV350ELL221MJ16S | 220µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C | ELXV350ELL221MJ16S.pdf | |
 | 1812GC151MATME | 150pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812GC151MATME.pdf | |
 | T491A226M004AT | 22µF Molded Tantalum Capacitors 4V 1206 (3216 Metric) 4 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | T491A226M004AT.pdf | |
 | 416F4061XAKT | 40.61MHz ±10ppm 수정 8pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F4061XAKT.pdf | |
| CZ5353B TR | DIODE ZENER 16V 5W DO201 | CZ5353B TR.pdf | |
 | T405-600T | TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220AB | T405-600T.pdf | |
| HM67-3216-222LFTR7 | 2 Line Common Mode Choke Surface Mount 2.2 kOhm @ 100MHz 200mA DCR 1.2 Ohm | HM67-3216-222LFTR7.pdf | |
 | AIUR-08-331K | 330µH Unshielded Wirewound Inductor 930mA 520 mOhm Max Radial | AIUR-08-331K.pdf | |
 | 13R154C | 150µH Unshielded Wirewound Inductor 820mA 330 mOhm Max Radial | 13R154C.pdf | |
 | SLF12575T-680M2R0-H | 68µH Shielded Wirewound Inductor 2A 93.36 mOhm Max Nonstandard | SLF12575T-680M2R0-H.pdf | |
.jpg) | RC2012F2673CS | RES SMD 267K OHM 1% 1/8W 0805 | RC2012F2673CS.pdf | |
 | CMF5040R200FKR6 | RES 40.2 OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF5040R200FKR6.pdf |
