창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPD90N03S4L-02 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPD90N03S4L-02 | |
PCN 포장 | Cover Tape Width Update 17/Jun/2015 Cover Tape Width Cancellation 14/Jul/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1613 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.2m옴 @ 90A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 90µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 140nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9750pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 136W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IPD90N03S4L-02-ND IPD90N03S4L-02TR IPD90N03S4L02 IPD90N03S4L02ATMA1 SP000273284 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPD90N03S4L-02 | |
관련 링크 | IPD90N0, IPD90N03S4L-02 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | APT2012SF4C-PRV | Infrared (IR) Emitter 880nm 1.3V 50mA 0.8mW/sr @ 20mA 120° 0805 (2012 Metric) | APT2012SF4C-PRV.pdf | |
![]() | HLMP-EL1B-Z1LDV | Amber 590nm LED Indication - Discrete 2.1V Radial | HLMP-EL1B-Z1LDV.pdf | |
![]() | MCS04020C1432FE000 | RES SMD 14.3K OHM 1% 1/10W 0402 | MCS04020C1432FE000.pdf | |
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![]() | RG3216P-47R0-B-T5 | RES SMD 47 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-47R0-B-T5.pdf | |
![]() | PHP00805E7230BST1 | RES SMD 723 OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E7230BST1.pdf | |
![]() | RNF12FTC20K0 | RES 20K OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FTC20K0.pdf |