창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPDH6N03LAG | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPD(F,S,U)H6N03LA G | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 04/Jun/2009 | |
카탈로그 페이지 | 1613 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 30µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2390pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 71W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | PG-TO252-3 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | IPDH6N03LAGINCT IPDH6N03LAGXTINCT IPDH6N03LAGXTINCT-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPDH6N03LAG | |
관련 링크 | IPDH6, IPDH6N03LAG Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | DMM2P1K-F | 0.1µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Radial 0.551" L x 0.276" W (14.00mm x 7.00mm) | DMM2P1K-F.pdf | |
![]() | MKP1839056633G | 56pF Film Capacitor 250V 630V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.197" Dia x 0.433" L (5.00mm x 11.00mm) | MKP1839056633G.pdf | |
![]() | SIT8208AI-22-33E-25.000625T | OSC XO 3.3V 25.000625MHZ OE | SIT8208AI-22-33E-25.000625T.pdf | |
![]() | MUN5314DW1T1G | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 | MUN5314DW1T1G.pdf | |
![]() | FQA11N90C_F109 | MOSFET N-CH 900V 11A TO-3P | FQA11N90C_F109.pdf | |
![]() | RCL040645R3FKEA | RES SMD 45.3 OHM 1/4W 0604 WIDE | RCL040645R3FKEA.pdf | |
![]() | AT1206DRD07576KL | RES SMD 576K OHM 0.5% 1/4W 1206 | AT1206DRD07576KL.pdf | |
![]() | RNMF14FTD243K | RES 243K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNMF14FTD243K.pdf | |
![]() | SBCV1110RK | RES 10.0 OHM 11W 10% RADIAL | SBCV1110RK.pdf |