Infineon Technologies IPG20N06S2L50AATMA1
- 제조업체 부품 번호
- IPG20N06S2L50AATMA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 8TDSON
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
IPG20N06S2L50AATMA1 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 551.14320
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of IPG20N06S2L50AATMA1, we specialize in all series Infineon Technologies electronic components. IPG20N06S2L50AATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPG20N06S2L50AATMA1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- IPG20N06S2L50AATMA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IPG20N06S2L50AATMA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IPG20N06S2L50AATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | IPG20N06S2L-50A | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 19µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 560pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 51W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8-10 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | SP001023842 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | IPG20N06S2L50AATMA1 | |
| 관련 링크 | IPG20N06S, IPG20N06S2L50AATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor | |
IPG20N06S2L50AATMA1 의 관련 제품
.jpg) | UMK105CG090CV-F | 9pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | UMK105CG090CV-F.pdf | |
 | 04025U2R7CAT2A | 2.7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 04025U2R7CAT2A.pdf | |
 | VJ0402D0R3CXXAJ | 0.30pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R3CXXAJ.pdf | |
 | VJ1210A820JBEAT4X | 82pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210A820JBEAT4X.pdf | |
| VJ0805D100MLAAJ | 10pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D100MLAAJ.pdf | |
| MKP385439250JPI2T0 | 0.39µF Film Capacitor 900V 2500V (2.5kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 1.181" W (42.00mm x 30.00mm) | MKP385439250JPI2T0.pdf | |
 | KX2513G0032.768000 | 32.768kHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.8V 15µA Enable/Disable | KX2513G0032.768000.pdf | |
 | ASVMB-14.31818MHZ-LY-T | 14.31818MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 16mA Standby (Power Down) | ASVMB-14.31818MHZ-LY-T.pdf | |
 | 636L3C106M25000 | 106.25MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 50mA Enable/Disable | 636L3C106M25000.pdf | |
,-SC-63.jpg) | FDD5N50UTM_WS | MOSFET N-CH 500V 3A DPAK | FDD5N50UTM_WS.pdf | |
| CRCW1218120KJNEK | RES SMD 120K OHM 5% 1W 1218 | CRCW1218120KJNEK.pdf | |
.jpg) | EXB-V8V391JV | RES ARRAY 4 RES 390 OHM 1206 | EXB-V8V391JV.pdf |
