창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPG20N06S2L50ATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPG20N06S2L-50 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 19µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 560pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 51W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8-4(5.15x6.15) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | IPG20N06S2L-50 IPG20N06S2L-50-ND SP000613728 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPG20N06S2L50ATMA1 | |
관련 링크 | IPG20N06S, IPG20N06S2L50ATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | 154PPB630KG | 0.15µF Film Capacitor 400V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.043" L x 0.433" W (26.50mm x 11.00mm) | 154PPB630KG.pdf | |
![]() | TPSB476M010S0650 | 47µF Molded Tantalum Capacitors 10V 1210 (3528 Metric) 650 mOhm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | TPSB476M010S0650.pdf | |
![]() | 402F320XXCJT | 32MHz ±15ppm 수정 9pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F320XXCJT.pdf | |
![]() | SIT8008BI-13-33S-11.289600E | OSC XO 3.3V 11.2896MHZ ST | SIT8008BI-13-33S-11.289600E.pdf | |
![]() | UPS160/TR13 | DIODE SCHOTTKY 60V 1A POWERMITE | UPS160/TR13.pdf | |
![]() | PE2512FKF070R009L | RES SMD 0.009 OHM 1% 1W 2512 | PE2512FKF070R009L.pdf | |
![]() | RG1608P-4422-W-T5 | RES SMD 44.2K OHM 1/10W 0603 | RG1608P-4422-W-T5.pdf | |
![]() | H861R9BZA | RES 61.9 OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H861R9BZA.pdf | |
![]() | Y144570K0000T0L | RES 70K OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y144570K0000T0L.pdf |