Infineon Technologies IPG20N10S436AATMA1

IPG20N10S436AATMA1
제조업체 부품 번호
IPG20N10S436AATMA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
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MOSFET 2N-CH 8TDSON
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내부 부품 번호EIS-IPG20N10S436AATMA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서IPG20N10S4-36A
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Infineon Technologies
계열자동차, AEC-Q101, OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C20A
Rds On(최대) @ Id, Vgs36m옴 @ 17A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.5V @ 16µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs15nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds990pF @ 25V
전력 - 최대43W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력VDFN
공급 장치 패키지PG-TDSON-8-10
표준 포장 5,000
다른 이름SP001102930
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IPG20N10S436AATMA1
관련 링크IPG20N10S, IPG20N10S436AATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor
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100pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) 1210AA101KAT1A.pdf
6.9pF 50V 세라믹 커패시터 T2H 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) GRM1556T1H6R9CD01D.pdf
OSC XO 3.3V 48MHZ SIT1602BI-22-33E-48.000000G.pdf
DIODE ZENER 4.7V 5W T18 1N5337C/TR8.pdf
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 RN4905T5LFT.pdf
RES SMD 3.9K OHM 5% 3/4W 2010 ERJ-12ZYJ392U.pdf
RES 1.5 OHM 1/2W 5% AXIAL FKN50SJR-52-1R5.pdf
RES 8.2 OHM 25W 5% RADIAL TA025PW8R20JE.pdf
RES 3.27021K OHM 0.6W 0.01% RAD Y14533K27021T9L.pdf