창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPG20N10S4L35AATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | IPG20N10S4L-35A | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 35m옴 @ 17A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 16µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17.4nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1105pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 43W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8-10 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | SP001091928 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | IPG20N10S4L35AATMA1 | |
관련 링크 | IPG20N10S, IPG20N10S4L35AATMA1 Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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VJ0603D111FXXAR | 110pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D111FXXAR.pdf | ||
C911U220JVNDBAWL40 | 22pF 400VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.315" Dia(8.00mm) | C911U220JVNDBAWL40.pdf | ||
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TDC226K050WSG-F | 22µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 50V Radial 0.350" Dia (8.89mm) | TDC226K050WSG-F.pdf | ||
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CR0402-FX-5902GLF | RES SMD 59K OHM 1% 1/16W 0402 | CR0402-FX-5902GLF.pdf | ||
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